Изображение |
Описание |
 |
2TB (1862.65 Гб или 1.82 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7200MB/s; запись: 6200MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 1000k …
43 900 ₸ |
|
 |
500GB (465.66 Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.1a x4); чтение: 3400MB/s; запись: 2500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 420 тыс. при чтении, …
43 900 ₸ |
|
 |
Обьем: 2TB (1862.65 Гб или 1.82 Тб), Тип: SSM, Форм-фактор: M.2 2230, Интерфейс: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4), Чтение: 6000 МБ/с, Запись: 5000 МБ/с, Модули памяти: 3D-NAND, …
43 900 ₸ |
|
 |
Обьем: 2TB (1862.65 Гб или 1.82 Тб), Тип: SSM, Форм-фактор: M.2 2280, Интерфейс: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4), Чтение: 6000 МБ/с, Запись: 5000 МБ/с, Модули памяти: 3D-NAND, …
43 900 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 6600MB/s | запись: 5000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 720k/700k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7400MB/s | запись: 7000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 6850MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | TBW: 1.4PB | Reliability …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4800MB/s | запись: 4400MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 525k/550k | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 1.2PB | 1.5 млн.. …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 3300MB/s, SLC-кешd (1750MB/s TLC) | IOPS 4K чтение/запись: 620k/560k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7300MB/s | запись: 6000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 800k/1000k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 5000MB/s | запись: 4400MB/s | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4) | TBW: 3.6PB | 1.8 млн.. часов (MTBF) | …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7400MB/s | запись: 5500MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 350k/720k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Micron, 96 Layer (Generation 3) | TBW: 740TB …
44 290 ₸ |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7200MB/s | запись: 6850MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 1000k/1000k | модули памяти: TLC | TBW: 1.4PB | 1.6 млн.. …
44 290 ₸ |
|
 |
2TB ( 1862.65Гб или 1.82Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 6000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
44 900 ₸ |
|
 |
2TB ( 1862.65Гб или 1.82Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 5000MB/s; запись: 4400MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: …
44 900 ₸ |
|