Емкость
512GB ( 476.84Гб, )
Тип
SSM (модули твердотельного накопителя)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Чтение
6900MB/s
Запись
5000MB/s SLC-Cached
IOPS 4K
800k чтение, 800k запись
Модули памяти
3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW
300TB (conforms TBW of 585.9TB per TB capacity)
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
Samsung Elpis/S4LV003, 8 каналов
Кэш
512MB (LPDDR4), SLC-Cache
Протокол
NVMe 1.3c
Размеры
80x22x2.4mm (без охлаждающих блоков)
Особенности
L1.2 Low-Power-standby
Гарантия
36 мес. (for OEM)
