Тип
SSM (модули твердотельного накопителя)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
Чтение
14700MB/s
Запись
13400MB/s SLC-Cached
IOPS 4K
1850k чтение, 2600k запись
Модули памяти
3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)
TBW
1.2PB (что соответствует 600 ТБ на каждый терабайт ёмкости)
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
Samsung Presto
DRAM-cache
да, 2GB LPDDR4X
SLC-Cache
да, динамический увеличивается до 226GB
Протокол
NVMe 2.0
Защита данных
256bit AES, TCG opal 2.0
Размеры
80x22mm (без охлаждающих блоков)
Особенности
L1.2 режим низкого энергопотребления в режиме ожидания
Гарантия
60 мес. (или когда устройство достигает общего TBW)
