Тип
SSM (solid state modules)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
Чтение
3500MB/s
Запись
2300MB/s SLC-Кэшd (400MB/s TLC)
IOPS 4K чтение/запись
250k/550k
Модули памяти
3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5)
TBW
150TB
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
Samsung Phoenix/Elpis, 8 channels (different configurations possible)
Кэш
512MB (LPDDR4), SLC-Кэш (4-13GB)
Протокол
NVMe 1.3
Защита данных
256bit AES, TCG opal 2.0
Размеры
80x22x2.38mm
Особенности
L1.2 Low-Power-standby
Гарантия
5 лет или когда устройство достигает общего TBW
