Тип
SSM (solid state modules)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Чтение
6900MB/s
Запись
5000MB/s SLC-Кэшd (1100MB/s TLC)
IOPS 4K чтение/запись
800k/1000k
Модули памяти
3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW
300TB
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
Samsung Elpis (S4LV003), 8 channels
Кэш
512MB (LPDDR4), SLC-Кэш (4-18GB)
Протокол
NVMe 1.3c
Защита данных
256bit AES, TCG opal 2.0
Размеры
80x22x2.38mm
Особенности
L1.2 Low-Power-standby
Гарантия
5 лет или когда устройство достигает общего TBW
