Тип
SSM (solid state modules)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Чтение
7450MB/s
Запись
6900MB/s SLC-Кэшd
IOPS 4K чтение/запись
1200k/1550k
Модули памяти
3D-NAND TLC, Samsung, 176 Layer (V-NAND v7)
TBW
600TB
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
Samsung Pascal
Кэш
1GB (LPDDR4), SLC-Кэш
Протокол
NVMe 2.0
Защита данных
256bit AES, TCG opal 2.0
Размеры
80x22x2.3mm
Особенности
L1.2 Low-Power-standby
Гарантия
5 лет или когда устройство достигает общего TBW
